MOS ICs & Technology

MOS集成電路及技術應用涵蓋了學生課程，講座，筆記和書籍。

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幾乎涵蓋了MOS集成電路技術的114主題。這些114主題在8個單位劃分

一些在此應用程序涉及的主題有：

1.摩爾定律。

2.現有技術的比較

3.基本MOS晶體管

4.增強型晶體管行動：

5. NMOS製作：

6. CMOS fabrication- P-WELL PROCESS

7. CMOS製造-N阱工藝：

8. CMOS製造-雙桶過程

9.雙CMOS技術： - （雙極CMOS）：

10.生產電子束掩模的

11.介紹MOS晶體管

12. Vgs的和ID之間的關係對於固定的Vds

13. MOS方程（基本DC方程）：

14.二階效應

15. CMOS INVETER特性

16.逆變器直流特性

17.逆變器直流特性的圖形推導

18.噪聲餘量

19.靜態負載MOS反相器

20.傳輸門

21.三態反相器

22.棒圖-編碼為NMOS過程

23.編碼針對CMOS工藝

24.編碼BJT和MOSFET

25. NMOS和CMOS的設計風格

26.設計規則 - MOS集成電路技術

27.通過

28. CMOS拉姆達基於設計規則

29.軌道2um的CMOS工藝

30.電阻估計。

31. MOS晶體管的薄層電阻

32.容量估計

33.延遲

34.反相器延遲

35.延遲的形式估計

36.驅動大電容性負載

的F 37.最佳值

38.超級緩衝

39. BICMOS司機

40.傳播延遲

41.電容的其它來源

42.層的選擇

43.縮放MOS器件的

44.基本物理設計的概述

45.基本物理設計的概述

46.原理圖和基本的佈局柵極逆變器門

47.原理圖和基本門-NAND和NOR門的佈局

48.傳輸門

49. CMOS標準單元設計

性能50.佈局優化

51.總體佈局指南

52. BICMOS邏輯

53.偽NMOS邏輯

54.偽nmos-多漏極的邏輯和成組邏輯的其它變

55.偽nmos-動態CMOS邏輯的其它變

nmos-主頻CMOS邏輯偽56.其它變型（C2MOS）

57. CMOS多米諾邏輯

58.級聯電​​壓開關邏輯

59.通晶體管邏輯

60. CMOS技術邏輯電路結構

61.縮放MOS電路

62.科技縮放

63.國際半導體技術發展藍圖（ITRS）

64.縮放模式和設備參數量化因子

縮放的65啟示

66.互連愁楚

67.可達半徑

68.動態和靜態功耗

69.生產力和物理極限

結垢70.限制

71.襯底摻雜

72.耗盡寬度

小型化的73限制

互連和接觸電阻的限制74.

75.限制由於亞閾值電流

76.限制由於亞閾值電流

77.系統

78. VLSI設計流程

79. 3結構化設計方法

80.規律

81. MOSFET作為開關

開關82並聯和串聯連接

83. CMOS反相器

84.與非門設計

85. NOR門設計

86. CMOS屬性

87.複合門

88.複合門AOI

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