Semiconductor Device & Circuit

Заметки по полупроводниковым устройствам и схемам для студентов, изучающих электрику и электронику.

Это приложение для полупроводниковых устройств и схем предназначено для быстрого обучения, пересмотра, получения справок во время экзаменов и собеседований.

Это приложение для полупроводниковых устройств содержит 160 тем с подробными примечаниями, диаграммами, уравнениями, формулами и учебными материалами, темы перечислены в 5 главах. Приложение должно быть для всех студентов технических наук.

Полупроводниковые устройства — это не что иное, как электронные компоненты, использующие электронные свойства полупроводниковых материалов, таких как кремний, германий и арсенид галлия, а также органических полупроводников.

Это приложение охватывает большинство связанных тем и подробное объяснение всех основных тем.

Вот некоторые из тем, рассматриваемых в электронной книге по инженерному делу:

1. Эксперимент Хейнса-Шокли

2. Полупроводниковые материалы

3. Кристаллическая решетка

4. Кубические решетки

5. Самолеты и направления

6. Алмазная решетка

7. Объемный рост кристаллов

8. Рост монокристаллических слитков

9. Вафли

10. Эпитаксиальный рост

11. Парофазная эпитаксия

12. Молекулярно-лучевая эпитаксия

13. Носители заряда в полупроводниках.

14. Эффективная масса

15. Внутренний материал

16. Внешний материал

17. Электроны и дырки в квантовых ямах.

18. Уровень Ферми

19. Компенсация и нейтральность пространственного заряда

20. Дрейф и сопротивление

21. Оптическое поглощение

22. Фотолюминесценция

23. Электролюминесценция

24. Время жизни носителя и фотопроводимость.

25. Прямая рекомбинация электронов и дырок.

26. Косвенная рекомбинация; Ловушка

27. Стационарная генерация несущей; Квазифермиевские уровни

28. Фотопроводящие устройства

29. Диффузионные процессы.

30. Диффузия и дрейф носителей: встроенные поля

31. Диффузия и рекомбинация. Уравнение непрерывности

32. Стационарное введение носителя: длина диффузии

33. Градиенты на квазифермиевских уровнях.

34. Температурная зависимость концентрации носителей.

35. Влияние температуры и легирования на подвижность.

36. Эффекты сильного поля

37. Эффект Холла

38. Изготовление p-n переходов: термическое оксидирование.

39. Диффузия P-N перехода

40. Быстрая термическая обработка

41. Ионная имплантация

42. Химическое осаждение из паровой фазы (CVD)

43. Фотолитография

44. Офорт

45. Металлизация

46. ​​Условия равновесия.

47. Равновесные уровни Ферми.

48. Объемный заряд на стыке

49. Соединения прямого и обратного смещения.

50. Инъекция носителя

51. Обратное смещение

52. Разбивка обратного смещения

53. Пробой Зенера

54. Лавинный срыв

55. Выпрямители

56. Пробойный диод

57. Переходные процессы и условия переменного тока

58. Переходный процесс обратного восстановления

59. Модель идеального диода

60. Влияние контактного потенциала на инъекцию носителя.

61. Переключение диодов

62. Емкость p-n переходов

63. Рекомбинация и генерация в переходной области.

64. Омические потери

65. Ступенчатые переходы

66. Переходы металл-полупроводник: барьеры Шоттки.

67. Текущие транспортные процессы

68. Термоэмиссионная теория.

69. Теория диффузии

70. Термоэмиссионно-диффузионная теория.

71. Исправление контактов

72. Туннельный ток

73. Инъекция миноритарных носителей

74. Туннельный диод MIS

75. Измерение высоты барьера

76. Измерение энергии активации.

77. Фотоэлектрические измерения

78. Омические контакты

Не все темы перечислены из-за ограничений по количеству символов.

Каждая тема снабжена диаграммами, уравнениями и другими формами графического представления для лучшего изучения и быстрого понимания.

Функции :

* Главы полные темы

* Богатый макет пользовательского интерфейса

* Комфортный режим чтения

* Важные темы экзамена

* Очень простой пользовательский интерфейс

* Охватить большинство тем

* Один щелчок, чтобы получить связанную всю книгу

* Контент, оптимизированный для мобильных устройств

* Мобильные оптимизированные изображения

Это приложение будет полезно для быстрого ознакомления. С помощью этого приложения пересмотр всех концепций может быть завершен в течение нескольких часов.

Вместо того, чтобы давать нам более низкую оценку, пожалуйста, напишите нам свои вопросы, проблемы и дайте нам ценную оценку и предложение, чтобы мы могли рассмотреть это для будущих обновлений. Мы будем рады решить их для вас.