Semiconductor Device

전자 장치, 회로, 다이오드, 트랜지스터 및 접합 간략한 설명

* 반도체 장치는, 전자 회로 양도체도 좋은 절연체도 재료로 이루어진다.

* 반도체 장치 등의 실리콘, 게르마늄, 갈륨 비화물,뿐만 아니라 유기 반도체로서, 반도체 재료의 전기적 성질을 이용하는 전자 부품에 지나지 않는다.

핵심 용어

ㅇ 반도체

오 다이오드

오 트랜지스터

O 바이폴라 접합 트랜지스터

오 자료

오 수집기

오 터

O 통합 회로

이 유용한 애플리케이션 노트, 다이어그램, 방정식, 수식 및 교재 자세한 160 개 항목을 나열, 주제는 5 장에 나열되어 있습니다. 응용 프로그램은 모든 엔지니어링 과학 학생 및 전문가이 있어야합니다.

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응용 프로그램에서 다루는 주제 중 일부는 다음과 같습니다

1. 헤인즈 - 쇼클리 실험

2. 반도체 재료

3. 크리스탈 격자

4. 입방 격자

5. 비행기 및 방향

6. 다이아몬드 격자

7. 대량 결정 성장

단결정 잉곳 8. 성장

9. 웨이퍼

10. 에피 택셜 성장

11. 기상법

12. 분자 빔 에피 택시

반도체 13. 충전 사업자

14. 유효 질량

15. 내장 재료

16. 외부 재질

17. 전자 및 양자 웰스 구멍

(18) 페르미 레벨

19. 보상 및 공간 충전 중립성

20. 드리프트 저항

(21) 광 흡수

(22) 광 발광

(23) 일렉트로

(24) 캐리어 수명 및 광 전도성

전자와 정공의 25 직접 재조합

26. 재조합 경유; 트래핑

27. 정상 상태 캐리어 세대; 준 페르미 레벨

(28) 광전 장치

29. 확산 과정

캐리어의 (30) 확산 및 드리프트 : 내장 필드

31. 재조합 확산; 연속 식

32. 정상 상태 캐리어 주입 : 확산 길이

준 - 페르미 레벨 33 그라디언트

캐리어 농도 34 온도 의존성

35. 온도 효과 및 이동성 도핑

36. 높은 필드 효과

37 홀 효과

P-N 접합부 (38)의 제작 : 열 산화

P-N 접합부 (39)의 확산

40. 급속 열처리

(41) 이온 주입

42. 화학 기상 증착 (CVD)

43 포토 리소그래피

(44) 에칭

45. 금속 화

46 평형 조건

47. 평형 페르미 준위

접합에서 48 공간 충전

49. 포워드 및 역 바이어스 접합

(50) 캐리어 주입

51. 역방향 바이어스

52 역 바이어스 고장

53 제너 고장

(54) 눈사태 고장

(55) 정류기

(56) 고장 다이오드

57 과도 및 A-C 조건

58 역 회복 과도

(59) 아이디얼 다이오드 모델

캐리어 주입에 대한 잠재적 연락의 60 효과

(61) 스위칭 다이오드

P-N 접합부 (62)의 정전 용량

전환 지역에서 63 재조합 및 생성

64 옴 손실

65 채점 접합

66. 금속 반도체 접합 : 쇼트 키 장벽

67 현재 전송 프로세스

68. 열전자 방출 이론

69. 확산 이론

(70) 열 전자관 - 방출 - 확산 이론

(71) 정류 연락처

(72) 터널링 전류

73. 소수 - 캐리어 주입

74 MIS 터널 다이오드

배리어 높이의 75 측정

76 활성화 에너지 측정

77. 광전 측정

78 옴 연락처

각 항목 다이어그램, 방정식과 더 나은 학습과 빠른 이해를위한 그래픽 표현의 다른 형태에 완료됩니다.

반도체 장치는 공학 교육 과정 및 여러 대학의 기술 학위 과정의 일부입니다.