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Basics of VLSI Designの旧いバージョンをダウンロードすることが可能
図表やグラフでVLSIの完全無料ハンドブック
アプリは、図やグラフでVLSIの完全無料のハンドブックです。それは重要なトピック、ノート、テーマに関するニュース＆ブログをもたらすエレクトロニクス＆通信工学教育の一部です。このエレクトロニクス＆通信エンジニアリング対象のクイックリファレンスガイド＆電子書籍としてアプリをダウンロードしてください。
アプリは、詳細にVLSI設計の90以上のトピックをカバーしています。これらのトピックは、5単位に分割されています。
あなたは非常に簡単にアプリが詳細なフラッシュカードのようなトピックに迅速に改正し、参照を提供し、あなたの試験や面接に合格し、成功することができます。
各トピックには、図、方程式と理解を容易にするためのグラフィカルな表現の他の形態の完了です。このアプリケーションで取り上げるトピックは以下のとおりです。
1.半導体メモリ：はじめと種類
2.専用メモリ（ROM）を読みます。
3.三つのトランジスタDRAMセル
4.一つのトランジスタDRAMセル
5.フラッシュメモリ
6.低 - 電力CMOS論理回路：はじめに
CMOSインバータの7デザイン
8. MOSインバータ、スイッチング特性を紹介
9.スキャンベースの技術
10.ビルトインセルフテスト（BIST）技術
11 VLSI設計の歴史見込み：ムーアの法則
CMOSデジタル回路タイプの12分類
13. A回路設計例
14. VLSI設計の方法論
15. VLSI設計フロー
16.デザイン階層
規則性、モジュール性と局所性の17コンセプト
18. CMOS製造
19.製造プロセスフロー：基本手順
nMOSトランジスタの20製作
21 CMOS製造：pウェル工程
22. CMOS製造：nウェルプロセス
23. CMOS製造：ツイン浴槽プロセス
24.スティック・ダイアグラムとマスクレイアウト設計
25. MOSトランジスタ：物理的な構造
外部バイアス下26. MOSシステム
27.構造とMOSFETの動作
28.しきい値電圧
MOSFETの29電流電圧特性
30. MOSFETのスケーリング
スケーリングの31及ぼす影響
32.小さなジオメトリ効果
33. MOSキャパシタンス
34 MOSインバータ
MOSインバータ35の電圧伝達特性（VTC）
n型MOSFETの負荷36インバータ
37抵抗負荷インバータ
枯渇-負荷インバータの38のデザイン
39 CMOSインバータ
40.遅延時間の定義
遅延時間の41計算
遅延制約を持つ42インバータの設計例：
43.組合せMOS論理回路：導入
枯渇のnMOS負荷で44 MOS論理回路：2入力NORゲート
枯渇のnMOS負荷で45 MOS論理回路：複数の入力を持つ一般NOR構造
枯渇のnMOS負荷で46 MOS論理回路：NORゲートの過渡解析
枯渇のnMOS負荷で47 MOS論理回路：二入力NANDゲート
枯渇のnMOS負荷で48 MOS論理回路：複数の入力を持つ一般化NAND構造
枯渇のnMOS負荷で49 MOS論理回路：NANDゲートの過渡解析
50. CMOS論理回路：NOR2（2入力NOR）ゲート
51. CMOS NAND2（2入力NAND）ゲート
シンプルなCMOS論理ゲートの52のレイアウト
53複雑なロジック回路
54.複雑なCMOS論理ゲート
複雑なCMOS論理ゲートの55のレイアウト
56. AOIとOAIゲイツ
57.擬似nMOSトランジスタゲイツ
58. CMOSフル加算器回路＆キャリーリップル加算器
59. CMOSトランスミッションゲート（パスゲイツ）
60.相補パストランジスタ論理（CPL）
61シーケンシャルMOS論理回路：はじめに
安定素子の62挙動
63 SRラッチ回路
64.クロック同期式SRラッチ
65.クロック同期JKラッチ
66.マスタ・スレーブフリップフロップ
67. CMOS Dラッチとエッジでトリガされるフリップフロップ
68.ダイナミック論理回路：はじめに
パストランジスタ回路の69の基本原則
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