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MOS ICs & Technology Captures d'écran

À propos de MOS ICs & Technology

MOS CI & App technologie couvrant cours, conférences, notes et livres pour les étudiants.

Remarques sur FREE MOS circuits intégrés et la technologie (circuit intégré) pour faciliter l'apprentissage et l'apprentissage rapide. Cette application est en fait un manuel gratuit, qui couvre tous les sujets du sujet. Vous pouvez considérer cette application comme des notes qui guides professeurs avec dans une salle de classe.

Vous pouvez très facilement passer et réussir dans vos examens et interviews si vous avez cette application sur votre téléphone mobile, et de donner un aperçu de quelques jours.

Il couvre 114 sujets de MOS circuits intégrés et la technologie en détail. Ces 114 sujets sont répartis en 8 unités

Certains des sujets abordés dans cette application sont:

1. La loi de Moore.

2. Comparaison des technologies disponibles

3. MOS de base Transistors

4. Mode d'amélioration de l'action de transistor:

5. NMOS Fabrication:

6. CMOS fabrication- PROCESSUS puits P

7. PROCESSUS CMOS fabrication-N-BIEN:

8. CMOS fabrication-Twin baignoire processus

9. La technologie Bi-CMOS: - (bipolaire CMOS):

10. Production de masques par faisceau d'électrons

11. Introduction à transistor MOS

12. Relation entre VGS et Ids, pour un Vds fixe

13. équations MOS (équations de base DC):

14. Deuxième ordre des effets

15. CMOS CARACTERISTIQUES DE Inveter

16. Caractéristiques Inverseur DC

17. Dérivation graphique des caractéristiques DC Inverter

18. Marge de bruit

19. inverseurs MOS de charge statique

20. portes de transmission

21. Tristate onduleur

22. bâton diagrammes codages pour le processus NMOS

23. codages pour les processus CMOS

24. Codage pour BJT et MOSFET

25. le style NMOS et CMOS design

26. Règles de conception - MOS circuits intégrés et la technologie

27. Via

28. règles de conception CMOS à base de lambda

29. Orbit 2um de processus CMOS

30. estimation de résistance.

31. La résistance de couche de transistors MOS

32. estimation de capacitance

33. Retard

34. retards de l'onduleur

35. estimation formelle du retard

36. Conduite à grande charge capacitive

37. La valeur optimale de f

38. super tampon

39. pilotes BiCMOS

40. retard de propagation

41. D'autres sources de capacité

42. Choix des couches

43. Mise à l'échelle des dispositifs mos

44. conception physique de base Voici un aperçu

45. conception physique de base Voici un aperçu

46. ​​Schéma et la disposition des portes de base-onduleur porte

47. Schéma et mise en page de base portes NAND et NOR porte

48. Transmission porte

49. CMOS de conception cellulaire standard

50. Optimisation de la mise en page pour la performance

51. directives générales de mise en page

52. Logique BICMOS

53. Pseudo logique NMOS

54. D'autres variations de la logique de drainage multi et la logique de pseudo Montés

55. D'autres variations de la logique dynamique cmos de pseudo

56. D'autres variations de pseudo nmos- CMOS cadencé LOGIC (C2MOS)

57. CMOS logique de type domino

58. logique de commutation de tension en cascade

59. logique à transistors Col

60. CMOS structures de circuits logiques de la technologie

61. Mise à l'échelle de circuits MOS

62. Mise à l'échelle de la technologie

63. International Technology Roadmap for Semiconductors (ITRS)

64. Les modèles de mise à l'échelle et des facteurs d'échelle pour les paramètres de l'appareil

65. Mise à l'échelle de conséquences

66. Woes d'interconnexion

67. Rayon Joignable

68. dynamique et statique de puissance

69. Productivité et limites physiques

70. Limites de mise à l'échelle

71. Substrat dopage

72. largeur de désertion

73. Limites de la miniaturisation

74. Limites d'interconnexion et de résistance de contact

75. Limites dues aux courants subliminaires

76. Limites dues aux courants subliminaires

77. système

78. flux de conception VLSI

79. 3 approche de conception structurée

80. Régularité

81. MOSFET en tant que commutateur

82. Montage en parallèle et série de commutateurs

83. CMOS INVERTER

84. La porte NON-design

85. porte NON-Conception

86. Propriétés CMOS

87. portes complexes

88. portes complexes AOI

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